三星抢先宣布量产3纳米芯片

　　亚马孙网讯   6月30日，三星电子有限公司宣布，该公司已经开始在其位于韩国的华城工厂大规模生产3纳米半导体芯片，是全球首家量产3纳米芯片的公司。与前几代使用FinFET的芯片不同，三星使用的 GAA（Gate All Around）晶体管架构，该架构大大改善了功率效率。

　　三星公司在一份声明中说，与传统的5纳米芯片相比，新开发的第一代3纳米工艺可以降低45% 的功耗，性能提高23%，并减少16% 的面积。