三星宣布首款 12 纳米级 DDR5 DRAM 开发成功，速度达 7.2Gbps

　　亚马孙网讯  日前获悉，三星电子宣布，已成功开发出其首款采用 12 纳米（nm）级工艺技术打造的 16Gb DDR5 DRAM，并与 AMD 一起完成了兼容性方面的产品评估。

　　三星表示，这一技术突破是通过使用一种新的高介电（high-k）材料来增加电池电容，以及改进关键电路特性的专利设计技术而实现的。

　　三星数据显示，结合先进的多层极紫外（EUV）光刻技术，新款 DRAM 拥有三星最高的 Die 密度（Die density），可使晶圆生产率提高 20%。基于 DDR5 最新标准，三星 12nm 级 DRAM 将解锁高达 7.2 千兆每秒（Gbps）的速度。

　　能效方面，与上一代三星 DRAM 产品相比，12nm 级 DRAM 的功耗降低约 23%。